Как стать автором
Обновить

ReRAM от Fujitsu: достойный конкурент флэш-памяти

Время на прочтение 1 мин
Количество просмотров 1.1K
Компания Fujitsu опубликовала информацию о своей новой разработке: энергонезависимой памяти с произвольным доступом ReRAM (Resistive RAM) с низким уровнем энергопотребления и высокой скоростью передачи данных.

Добиться серьезных успехов инженерам Fujitsu Labs удалось, изменив структуру ReRAM, путем добавления титана к оксиду никеля и понижением силы тока в транзисторе, требуемой для операций стирания, до 100 мА. Это позволило сократить время этой операции до 5 нс. Таким образом, изготовленная Fujitsu память ReRAM, оказалась в 10 тысяч раз быстрее, чем существующие на сегодняшний день образцы ReRAM, выполненные без применения титана.

С учетом этих усовершенствований, а также за счет более низкой стоимости производственного процесса, ReRAM вполне может составить конкуренцию флэш-памяти. Массовое производство резистивной памяти Fujitsu планирует начать в 2010 году.

via Gizmodo
Теги:
Хабы:
+9
Комментарии 26
Комментарии Комментарии 26

Публикации

Истории

Ближайшие события

Московский туристический хакатон
Дата 23 марта – 7 апреля
Место
Москва Онлайн
Геймтон «DatsEdenSpace» от DatsTeam
Дата 5 – 6 апреля
Время 17:00 – 20:00
Место
Онлайн